中國科學(xué)院微電子研究所在極紫外（EUV）光刻技術(shù)這一芯片制造核心領(lǐng)域，取得了一項(xiàng)具有里程碑意義的科研進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出一種針對極紫外光刻掩模基板缺陷的創(chuàng)新性補(bǔ)償技術(shù)，為解決制約EUV光刻工藝良率與精度的核心瓶頸問題提供了全新的技術(shù)路徑，為我國在高端芯片制造裝備與工藝的自主可控研發(fā)中注入了強(qiáng)勁動力。

極紫外光刻技術(shù)被視為延續(xù)摩爾定律、制造7納米及以下制程高端芯片的基石。其核心部件——EUV掩模（光罩）的制備面臨前所未有的挑戰(zhàn)。掩模基板上即使存在納米級甚至亞納米級的微小缺陷，在13.5納米的極短波長曝光下，也會被放大并轉(zhuǎn)移到硅片上，導(dǎo)致芯片電路圖形錯誤，嚴(yán)重影響芯片性能與生產(chǎn)良率。傳統(tǒng)檢測與修復(fù)技術(shù)面臨精度極限和成本高昂的雙重壓力，因此，發(fā)展有效的缺陷補(bǔ)償技術(shù)成為全球產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界競相攻關(guān)的前沿?zé)狳c(diǎn)。

中科院微電子所的研究團(tuán)隊(duì)另辟蹊徑，并未直接追求對物理缺陷的“消除”，而是聚焦于如何在光刻成像的“軟件”層面進(jìn)行智能“補(bǔ)償”。他們通過深度融合計算光刻與機(jī)器學(xué)習(xí)算法，建立了一套高精度的缺陷成像影響預(yù)測模型。該模型能夠精確模擬掩模基板上特定缺陷在EUV曝光后，于光刻膠上形成的畸變圖形。在此基礎(chǔ)上，團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地開發(fā)出逆向補(bǔ)償算法，通過智能調(diào)整掩模版上鄰近缺陷區(qū)域的電路設(shè)計圖形（即進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的優(yōu)化），使得最終在硅片上成像的圖形能夠“抵消”缺陷引入的畸變，從而在功能上實(shí)現(xiàn)圖形的完美復(fù)原。

此項(xiàng)技術(shù)的突破性在于：

1. 高精度與高效率：結(jié)合先進(jìn)算法，實(shí)現(xiàn)了對缺陷影響的納米級精確預(yù)測與補(bǔ)償，大幅降低了傳統(tǒng)物理修復(fù)的復(fù)雜度和對完美基板的依賴。
2. 工藝兼容性強(qiáng)：該技術(shù)屬于計算光刻層面的解決方案，可與現(xiàn)有及未來的EUV光刻工藝流程無縫集成，無需改動昂貴的硬件設(shè)備，具備顯著的成本和應(yīng)用優(yōu)勢。
3. 提升工藝窗口：通過智能補(bǔ)償，有效放寬了對掩模基板初始缺陷規(guī)格的極端要求，提升了光刻工藝的整體寬容度和穩(wěn)定性，為良率爬升提供了關(guān)鍵保障。

這一研究成果不僅代表了我國在極紫外光刻這一戰(zhàn)略高技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)研發(fā)能力達(dá)到了國際先進(jìn)水平，更從底層方法論上為突破EUV光刻的制造瓶頸提供了“中國方案”。它有望加速EUV光刻技術(shù)的成熟與應(yīng)用部署，對于推動我國集成電路產(chǎn)業(yè)攻克高端芯片制造難關(guān)、構(gòu)建自主創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系具有深遠(yuǎn)的戰(zhàn)略意義。研究團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)深化與產(chǎn)業(yè)界的合作，推動該技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向生產(chǎn)線，助力我國網(wǎng)絡(luò)科技研發(fā)與數(shù)字經(jīng)濟(jì)的基石——先進(jìn)芯片制造能力實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。